MRF7S15100HR5【PDF 7/13 页】MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

3页 4页 5页 6页 [7页]8页 9页 10页 11页

MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3

3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

Table 4. Electrical Characteristics (TA

= 25

°C unless otherwise noted)

(continued)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Typical Performances

(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V

DD

= 28 Vdc, I

DQ

= 600 mA, 1470-1510 MHz Bandwidth

Pout

@ 1 dB Compression Point, CW

P1dB

—

100

—

W

IMD Symmetry @ 90 W PEP, Pout

where IMD Third Order

30 dBc

Intermodulation

(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower

Sidebands > 2 dB)

IMDsym

—

40

—

MHz

VBW Resonance Point

(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)

VBWres

—

70

—

MHz

Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout

= 23 W Avg.

GF

—

0.2

—

dB

Average Deviation from Linear Phase in 40 MHz Bandwidth

@ Pout

= 100 W CW

Φ

—

4.5

—

°

Average Group Delay @ Pout

= 100 W CW, f = 1490 MHz

Delay

—

1.9

—

ns

Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout

= 100 W CW,

f = 1490 MHz, Six Sigma Window

ΔΦ

—

23

—

°

Gain Variation over Temperature

(-30°C to +85°C)

ΔG

—

0.010

—

dB/°C

Output Power Variation over Temperature

(-30°C to +85°C)

ΔP1dB

—

0.007

—

W/°C

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

*

*

*

相关PDF资料

MRF7S16150HSR5 MOSFET RF N-CH NI-780S

MRF7S18125AHSR5 MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S

MRF7S18125BHSR5 MOSFET RF N-CH CW 125W NI780

MRF7S18170HSR5 MOSFET RF N-CH NI-880S

MRF7S19080HSR5 MOSFET RF N-CH NI-780S

MRF7S19100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4

MRF7S19120NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4

MRF7S19170HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S

相关代理商/技术参数

MRF7S15100HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S15100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S16150HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S16150HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780H RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S16150HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S16150HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 WIMAX 1.6GHZ NI780HS RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S18125AHR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF7S18125AHR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray